上海集成电路研发中心有限公司取得半导体器件中互连层和接触孔层的形成方法专利

发布时间:2024-12-14 17:44:15    浏览:

[返回]

  威九国际官,威九国际官,金融界2024年12月14日消息,国家知识产权局信息显示,上海集成电路研发中心有限公司取得一项名为“半导体器件中互连层和接触孔层的形成方法”的专利,授权公告号CN 112599473 B,申请日期为2020年12月。

  特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。

  好消息!1954-1964年出生的人要笑出声了?24年12月养老金大调整

  一炮而红!上市7天大卖6500台,续航1420公里,仅售9万多叫板比亚迪

  英伟达 RTX 50 系列显卡性能曝光:5090 旗舰级性能最高增幅 70%

  《编码物候》展览开幕 北京时代美术馆以科学艺术解读数字与生物交织的宇宙节律

HTML地图 XML地图txt地图 |

搜索